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19 janv.

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Un transistor Mosfet à déplétion profonde pour l'électronique de puissance

Résultat de recherche

© Institut Néel

© Institut Néel

Le Laboratoire plasma et conversion d'énergie (Laplace - CNRS/Toulouse INP/UT3 Paul Sabatier) et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état passant. Ces résultats, qui préfigurent une nouvelle génération de composants pour l'électronique de puissance, ont été publiés dans la revue Applied Physics Letters.

Voir en ligne sur
le site de l'Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes du CNRS.

Dates
le 23 août 2018

Date de mise à jour 23 août 2018


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